Aufbau einer PERC-Zelle: Passivierungs-/Antireflexionsschicht – N-Typ-Emitter – P-Typ-Wafersubstrat – Passivierungsschicht der Rückseite – Antireflexionsschicht

Aufbau der TOPCon-Zelle vom N-Typ: Passivierungs-/Antireflexionsschicht – Passivierungsschicht – P-Typ-Emitter – N-Typ-Wafersubstrat – ultradünne Tunnelschicht – N-Typ-Polysilizium-Dünnschicht – Antireflexionsschicht

Hauptunterschied zwischen N-Typ TOPCon-Zelle und PERC-Zelle: N-Typ Silizium-Wafer + ultradünne Tunnelschicht

Die Produktionslinie der N-Typ TOPCon-Zelle ist in hohem Maße mit der PERC-Zelle kompatibel. Im Vergleich zur PERC-Zelle ist für die Produktionslinie der aktuellen und massentauglichen TOPCon-Zelle eine zusätzlicher Ausrüstungssatz zur Herstellung der ultradünnen Tunnelschicht und der N-Typ Polysilizium-Dünnschicht vorgesehen. Die bewährte N-Typ TOPCon-Zelltechnologie hat niedrigere Investitionskosten als andere N-Typ-Zelltechnologien.